학과안내 DONGEUI INSTITUTE OF TECHNOLOGY
11회 졸업 40명/37명 합격(국가고시합격률 97.3%)
제14회 입학 48명
제10회 전공심화 과정 입학 30명
10회 졸업 36명/35명 합격(국가고시합격률 97.2%)
제13회 입학 50명
제9회 전공심화 과정 입학 22명
9회 졸업 48명
제12회 입학 50명
제8회 전공심화과정 입학 25명
제9회 방사선과 학술제 개최
8회 졸업 36명/35합격(국가고시 합격률 97.2%)
제11회 입학 52명
제7회 전공심화과정 입학 23명
제10회 입학 48명(정원 40명, 정원 외 8명)
제6회 전공심화과정 입학 [24명]
7회 졸업(국가고시합격률 93%)
제7회 방사선과 학술제 개최
제9회 입학 51명(정원 40명, 정원 외 11명)
제5회 전공심화과정 입학 [30명]
6회 졸업(국가고시합격률 94%)
제6회 방사선과 학술제 개최
제8회 입학 49명(정원 40명, 정원 외 5명)
제4회 전공심화과정 입학 [28명]
5회 졸업(국가고시합격률 90%)
제5회 방사선과 학술제 개최
제7회 입학 51명(정원40명, 정원외11명)
제3회 전공심화과정 입학[30명]
4회 졸업(국가고시 합격률 80%)
2회 전공심화과정 졸업[28명]
H-60 삼성메디슨 초음파진단기 도입
제4회 방사선사 학술제 개최
제6회 입학 53명(정원40명, 정원외13명)
제2회 전공심화과정 입학[30명]
3회 졸업(국가고시 합격률 85%)
1회 전공심화과정 졸업[20명]
제3회 방사선과 학술제 개최
원자력논문장학생 과제 선정
강은보 교수님 부임
제5회 입학 56명(정원40명, 정원외16명)
제1회 전공심화과정 입학[20명]
DR 시스템 도입
2회 졸업(국가고시 합격률 82%)
제2회 방사선과 학술제 개최
4회 입학 58명(정원40명, 정원외18명)
1회 졸업 16명(국가고시 합격률 94%)
GE P-5 초음파영상진단기 도입
제1회 방사선과 학술제 개최
제재용 교수 부임
3회 입학 56명(정원40명, 정원외16명)
LISTEM REX-650RF 최신형 방사선투시 촬영기 도입
초음파장비(GE-LOGIQ 700 도입)
박철우 교수 부임
2회 입학50명(정원40명, 정원외10명)
입학정원 30명→40명 조정
LISTEM REX-650R 최신형 방사선 촬영기 도입
CR System 도입
신운재 교수 부임
1회 입학36명(정원30명, 정원외6명)